BC857BWT1G

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BC857BWT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  BC857BWT1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE

小信号 PNP ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor BC857BWT1G , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:220, 100 MHz, 3引脚 SOT-323 SC-70封装


得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,


立创商城:
BC857BWT1G


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R


Allied Electronics:
ON Semi BC857BWT1G PNP Bipolar Transistor, 0.1 A, 45 V, 3-Pin SC-70


安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BC857BWT1G  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE


DeviceMart:
TRANS PNP GP 45V 100MA SOT-323


Win Source:
TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323


BC857BWT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -100 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 150

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BC857BWT1G引脚图与封装图
BC857BWT1G引脚图
BC857BWT1G封装焊盘图
在线购买BC857BWT1G
型号: BC857BWT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC857BWT1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE
替代型号BC857BWT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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