ON SEMICONDUCTOR BC857BWT1G 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE
小信号 PNP ,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
ON Semiconductor BC857BWT1G , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:220, 100 MHz, 3引脚 SOT-323 SC-70封装
得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
立创商城:
BC857BWT1G
e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Allied Electronics:
ON Semi BC857BWT1G PNP Bipolar Transistor, 0.1 A, 45 V, 3-Pin SC-70
安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR BC857BWT1G Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE
DeviceMart:
TRANS PNP GP 45V 100MA SOT-323
Win Source:
TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323
频率 100 MHz
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 150
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-70-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BC857BWT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
SBC857BWT1G 安森美 | 类似代替 | BC857BWT1G和SBC857BWT1G的区别 |
BC857BWT1 安森美 | 类似代替 | BC857BWT1G和BC857BWT1的区别 |
BC857BW,115 恩智浦 | 功能相似 | BC857BWT1G和BC857BW,115的区别 |