BFU550WF概述
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, 60 hFE
RF Transistor NPN 12V 50mA 11GHz 450mW Surface Mount SOT-323-3
得捷:
BFU550W - NPN WIDEBAND SILICON R
立创商城:
BFU550WF
贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, 60 hFE
艾睿:
Trans RF BJT NPN 16V 0.08A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
安富利:
Trans GP NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-323 T/R
BFU550WF中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
耗散功率 450 mW
输入电容 1 pF
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 12 dB
最小电流放大倍数hFE 60 @15mA, 8V
额定功率Max 450 mW
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 450 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
封装 SOT-323-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99