BFU530WX

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BFU530WX概述

晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 60 hFE

In addition to offering the benefits of traditional BJTs, the RF amplifier from Semiconductors is perfect for high radio frequency power situations. This RF transistor has an operating temperature range of -40 °C to 150 °C.


得捷:
BFU530W - NPN WIDEBAND SILICON R


立创商城:
BFU530WX


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 60 hFE


艾睿:
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R


安富利:
Trans GP NPN 12V 0.04A 3-Pin SOT-323 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R


BFU530WX中文资料参数规格
技术参数

频率 11000 MHz

针脚数 3

耗散功率 450 mW

输入电容 0.84 pF

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 18.5 dB

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 8V

额定功率Max 450 mW

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 450 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BFU530WX
型号: BFU530WX
制造商: NXP 恩智浦
描述:晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 60 hFE

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