晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 60 hFE
In addition to offering the benefits of traditional BJTs, the RF amplifier from Semiconductors is perfect for high radio frequency power situations. This RF transistor has an operating temperature range of -40 °C to 150 °C.
得捷:
BFU530W - NPN WIDEBAND SILICON R
立创商城:
BFU530WX
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, 60 hFE
艾睿:
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
安富利:
Trans GP NPN 12V 0.04A 3-Pin SOT-323 T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
频率 11000 MHz
针脚数 3
耗散功率 450 mW
输入电容 0.84 pF
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 18.5 dB
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 8V
额定功率Max 450 mW
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 450 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
封装 SOT-323-3
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99