BFU520XAR

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BFU520XAR概述

晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, 60 hFE

The RF amplifier from Semiconductors can provide you an alternative to traditional BJTs in that it can work with higher radio frequencies. This RF transistor has a minimum operating temperature of -40 °C and a maximum of 150 °C.


得捷:
RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, 60 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 16V 0.05A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R


安富利:
Trans GP NPN 12V 0.03A 4-Pin SOT-143B T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 16V 0.05A 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R


BFU520XAR中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

耗散功率 450 mW

输入电容 0.74 pF

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 20 dB

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 8V

额定功率Max 450 mW

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 450 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-253-4

外形尺寸

封装 TO-253-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BFU520XAR
型号: BFU520XAR
制造商: NXP 恩智浦
描述:晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, 60 hFE

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