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BC557BTAR中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC557BTAR

型号： BC557BTAR

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial

替代型号BC557BTAR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BC557BTAR Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
BC557BTA 飞兆/仙童	类似代替	BC557BTAR和BC557BTA的区别
BC560BU 飞兆/仙童	类似代替	BC557BTAR和BC560BU的区别
BC560BBU 飞兆/仙童	类似代替	BC557BTAR和BC560BBU的区别