BFG425W,135概述
RF Bipolar Transistors Single NPN 4.5V 25mA 135mW 50 25GHz
RF NPN 4.5V 30mA 25GHz 135mW 表面贴装型 CMPAK-4
得捷:
RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4
贸泽:
RF Bipolar Transistors Single NPN 4.5V 25mA 135mW 50 25GHz
艾睿:
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.03A 135mW 4-Pin3+Tab CMPAK T/R
安富利:
NPN double polysilicon wideband transistor with buried layer for low voltage applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343R package.
BFG425W,135中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 135 mW
输入电容 0.575 pF
击穿电压集电极-发射极 4.5 V
增益 20 dB
最小电流放大倍数hFE 50 @25mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 120
额定功率Max 135 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 135 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
外形尺寸
封装 SOT-343
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free