BFG410W,135

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BFG410W,135概述

Trans RF BJT NPN 4.5V 0.012A 54mW 4Pin3+Tab CMPAK T/R

RF NPN 4.5V 12mA 22GHz 54mW 表面贴装型 CMPAK-4


得捷:
RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4


艾睿:
Trans RF BJT NPN 4.5V 0.012A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 4.5V 0.012A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R


BFG410W,135中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 54 mW

击穿电压集电极-发射极 4.5 V

增益 21 dB

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 2V

额定功率Max 54 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 54 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-343

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BFG410W,135
型号: BFG410W,135
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans RF BJT NPN 4.5V 0.012A 54mW 4Pin3+Tab CMPAK T/R

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