BFG540W/XR,135概述
RF Bipolar Transistors Single NPN 15V 120mA 0.5W1/2W 100 9GHz
RF NPN 15V 120mA 9GHz 500mW 表面贴装型 CMPAK-4
得捷:
RF TRANS NPN 15V 9GHZ CMPAK-4
贸泽:
RF Bipolar Transistors Single NPN 15V 120mA 500mW 100 9GHz
艾睿:
Trans RF BJT NPN 15V 0.12A 500mW 4-Pin3+Tab CMPAK T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 15V 0.12A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 15V 0.12A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R
DeviceMart:
TRANS RF NPN 9GHZ 15V SOT343R
Win Source:
TRANS RF NPN 9GHZ 15V SOT343R
BFG540W/XR,135中文资料参数规格
技术参数
频率 9000 MHz
耗散功率 500 mW
输入电容 2 pF
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 100 @40mA, 8V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
外形尺寸
封装 SOT-343
物理参数
材质 Silicon
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99