BCV47E6327HTSA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCV47E6327HTSA1概述

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

复合，

得捷:
TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT23

欧时:
Infineon BCV47E6327HTSA1 NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=60 V, HFE=2000, 3引脚 SOT-23封装

艾睿:
Trans Darlington NPN 60V 0.5A 360mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans Darlington NPN 60V 0.5A 360mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source:
TRANS NPN DARL 60V 0.5A SOT-23

BCV47E6327HTSA1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 0.36 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V

额定功率Max 360 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 170 MHz

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 For general AF applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BCV47E6327HTSA1

型号： BCV47E6327HTSA1

制造商： Infineon 英飞凌

描述：P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

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替代型号BCV47E6327HTSA1

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