PNP 晶体管，60 至 160V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -110V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −100V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −200mA/-0.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 30 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier and switch applications requiring high voltages. Sourced from Process 74. 描述与应用| PNP通用放大器 这个装置是专为通用放大器和开关应用，需要高电压。来源从工艺74
频率 50 MHz
额定电压DC -100 V
额定电流 -200 mA
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
最小电流放大倍数hFE 30 @10mA, 1V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSS63 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BSS63LT1G 安森美 | 功能相似 | BSS63和BSS63LT1G的区别 |
BSS63,215 安世 | 功能相似 | BSS63和BSS63,215的区别 |