BSV52LT1G

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BSV52LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  BSV52LT1G  单晶体管 双极, NPN, 12 V, 400 MHz, 225 mW, 100 mA, 25 hFE

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。

### ,On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

BSV52LT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 400 MHz

额定电压DC 12.0 V

额定电流 200 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 225 mW

增益频宽积 400 MHz

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 40 @10mA, 1V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 25

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 2.64 mm

高度 1.11 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BSV52LT1G引脚图与封装图
BSV52LT1G引脚图
BSV52LT1G封装焊盘图
在线购买BSV52LT1G
型号: BSV52LT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BSV52LT1G  单晶体管 双极, NPN, 12 V, 400 MHz, 225 mW, 100 mA, 25 hFE
替代型号BSV52LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSV52LT1G

ON Semiconductor 安森美

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BSV52LT1

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完全替代

BSV52LT1G和BSV52LT1的区别

BSV52

安森美

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