ON SEMICONDUCTOR BCX17LT1G 单晶体管 双极, PNP, 45 V, 300 mW, 500 mA, 100 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~600 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −620mV/-0.62V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| General Purpose Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors Features • Pb−Free Package is Available 描述与应用| 通用 (PNP晶体管负电压和电流) 特点 •无铅包装是可用
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -500 mA
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BCX17LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC807-16LT1G 安森美 | 类似代替 | BCX17LT1G和BC807-16LT1G的区别 |
BC807-16LT3G 安森美 | 类似代替 | BCX17LT1G和BC807-16LT3G的区别 |
BCX17LT1 安森美 | 类似代替 | BCX17LT1G和BCX17LT1的区别 |