BFG10,215概述
Trans RF BJT NPN 8V 0.25A 4Pin3+Tab SOT-143B T/R
RF NPN 8V 250mA 1.9GHz 400mW 表面贴装型 SOT-143B
得捷:
RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B
贸泽:
RF Bipolar Transistors Single NPN 8V 250mA 400mW 25
艾睿:
Trans RF BJT NPN 8V 0.25A 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 8V 0.25A 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 8V 0.25A 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R
Win Source:
TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143
BFG10,215中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.4 W
输出功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 8 V
增益 7 dB
最小电流放大倍数hFE 25 @50mA, 5V
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-253-4
外形尺寸
封装 TO-253-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99