晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, 60 hFE
RF NPN 12V 200mA 8.5GHz 2W 表面贴装型 SOT-223
立创商城:
NPN 12V 80mA
得捷:
RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SOT223
贸泽:
RF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
艾睿:
Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.2A 4-Pin SOT223 T/R
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Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.2A; 2W; SOT223
Verical:
Trans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin3+Tab SC-73 T/R
RfMW:
RF Transistor, 8.5 GHz, 13 dB, Silicon, SOT223
针脚数 4
耗散功率 2 W
输入电容 3.9 pF
增益频宽积 8.5 GHz
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 8 dB
最小电流放大倍数hFE 60 @80mA, 8V
最大电流放大倍数hFE 130
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BFU590GX NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BFG35,115 恩智浦 | 功能相似 | BFU590GX和BFG35,115的区别 |