FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BCX70J 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 125 MHz, 350 mW, 200 mA, 250 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 45V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 125MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 550mV/0.55V 耗散功率PcPower Dissipation| 330mW/0.33W Description & Applications| NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR General Purpose Transistors 描述与应用| NPN外延硅 通用晶体管
频率 125 MHz
额定电压DC 45.0 V
额定电流 200 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 350 mW
增益频宽积 125 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 250 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 460
额定功率Max 350 mW
直流电流增益hFE 250
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BCX70J Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT6429LT1G 安森美 | 功能相似 | BCX70J和MMBT6429LT1G的区别 |
BCX70J,215 恩智浦 | 功能相似 | BCX70J和BCX70J,215的区别 |