单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
双电阻器数字，
Infineon 的一系列双极性结点晶体，配有集成电阻器，允许直接从数字来源驱动，无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
欧时:
Infineon BCR116E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23封装
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 150 MHz
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BCR116E6327HTSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BCR116E6433HTMA1 英飞凌 | 完全替代 | BCR116E6327HTSA1和BCR116E6433HTMA1的区别 |
PDTC143ZK,115 恩智浦 | 功能相似 | BCR116E6327HTSA1和PDTC143ZK,115的区别 |