BFQ19,115

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BFQ19,115概述

Trans RF BJT NPN 15V 0.1A 1000mW 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

Semiconductors has the solution to your circuit"s high radio frequency requirements with their RF bi-polar junction transistor. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 175 °C.


得捷:
RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89-3


艾睿:
Trans RF BJT NPN 15V 0.1A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 15V 0.1A 4-Pin 3+Tab UPAK T/R


DeviceMart:
TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89


BFQ19,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 1000 mW

击穿电压集电极-发射极 15 V

最小电流放大倍数hFE 25 @70mA, 10V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BFQ19,115
型号: BFQ19,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans RF BJT NPN 15V 0.1A 1000mW 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

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