BFR505,215

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BFR505,215概述

Trans RF BJT NPN 15V 0.018A 150mW 3Pin TO-236AB T/R

In addition to offering the benefits of traditional BJTs, the RF amplifier from Semiconductors is perfect for high radio frequency power situations. This RF transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.


得捷:
RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB


e络盟:
NXP  BFR505,215  RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 9GHZ,


艾睿:
Trans RF BJT NPN 15V 0.018A 150mW 3-Pin TO-236AB T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 15V 0.018A 3-Pin TO-236AB T/R


DeviceMart:
TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-23


Win Source:
RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB / RF Transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW Surface Mount SOT-23 TO-236AB


BFR505,215中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 15 V

增益 17dB ~ 10dB

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 60

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 120

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

宽度 1.4 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BFR505,215
型号: BFR505,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans RF BJT NPN 15V 0.018A 150mW 3Pin TO-236AB T/R

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