BLT70,115概述
NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
射频双极，Nexperia
### 双极晶体管，Nexperia
得捷:
RF TRANS NPN 8V 900MHZ SOT223
欧时:
### 射频双极晶体管，NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
艾睿:
Trans RF BJT NPN 8V 0.25A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R
BLT70,115中文资料参数规格
技术参数
输出功率 0.6 W
击穿电压集电极-发射极 8 V
最小电流放大倍数hFE 25 @100mA, 4.8V
额定功率Max 2.1 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
替代型号BLT70,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BLT70,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BLT70 恩智浦 | 功能相似 | BLT70,115和BLT70的区别 |