BC846BPDW1T1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC846BPDW1T1G概述

ON SEMICONDUCTOR BC846BPDW1T1G Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363 新

双 NPN/PNP ，On Semiconductor

每个双晶体管封装均包含 NPN 或 PNP 设备

### ，On Semiconductor

的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

BC846BPDW1T1G中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 65.0 V

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN, PNP

耗散功率 380 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 380 mW

直流电流增益hFE 290

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 380 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.95 mm

封装 SC-70-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BC846BPDW1T1G引脚图与封装图

在线购买BC846BPDW1T1G

型号： BC846BPDW1T1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR BC846BPDW1T1G Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363 新

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替代型号BC846BPDW1T1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BC846BPDW1T1G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
BC846BPDW1T1 安森美	类似代替	BC846BPDW1T1G和BC846BPDW1T1的区别
BC846BPN,115 恩智浦	功能相似	BC846BPDW1T1G和BC846BPN,115的区别
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