BFG25AW/X,115

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BFG25AW/X,115概述

RF Bipolar Transistors Single NPN 5V 6.5mA 0.5W1/2W 50 5GHz

RF NPN 5V 6.5mA 5GHz 500mW 表面贴装型 4-SO


得捷:
RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO


贸泽:
RF Bipolar Transistors Single NPN 5V 6.5mA 500mW 50 5GHz


艾睿:
Trans RF BJT NPN 5V 0.0065A 4-Pin3+Tab SO T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 5V 0.0065A 4-Pin3+Tab SO T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 5V 0.0065A 4-Pin3+Tab SO T/R


Win Source:
TRANS RF NPN 5GHZ 5V SOT343


BFG25AW/X,115中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 5 V

最小电流放大倍数hFE 50 @500µA, 1V

最大电流放大倍数hFE 200

额定功率Max 500 mW

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BFG25AW/X,115
型号: BFG25AW/X,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:RF Bipolar Transistors Single NPN 5V 6.5mA 0.5W1/2W 50 5GHz

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