BFR 949L3 E6327概述
RF Bipolar Transistors NPN Silicn RF TRNSTR 10V 50mA
RF Transistor NPN 10V 50mA 9GHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3-1
得捷:
RF TRANS NPN 10V 9GHZ TSLP-3-1
贸泽:
RF Bipolar Transistors NPN Silicn RF TRNSTR 10V 50mA
BFR 949L3 E6327中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 10.0 V
额定电流 35.0 mA
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 10 V
增益 21.5 dB
最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 100 @5mA, 6V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PG-TSLP-3
外形尺寸
长度 1 mm
宽度 0.6 mm
高度 0.45 mm
封装 PG-TSLP-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买BFR 949L3 E6327