RF Bipolar Transistors GP BJT NPN 4.5V 0.035A
RF Transistor NPN 5V 35mA 25GHz 160mW Surface Mount 4-TSFP
得捷:
RF TRANS NPN 5V 25GHZ 4TSFP
贸泽:
RF Bipolar Transistors GP BJT NPN 4.5V 0.035A
额定电压DC 4.50 V
额定电流 35.0 mA
耗散功率 160 mW
增益频宽积 25000 MHz
击穿电压集电极-发射极 5 V
增益 19.5 dB
最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 4V
最大电流放大倍数hFE 60 @5mA, 4V
额定功率Max 160 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-4
长度 1.4 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.55 mm
封装 SMD-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free