BLW96/01,112参数规格_中文资料_数据手册PDF

BLW96/01,112概述

Trans RF BJT NPN 55V 12A 340000mW 4Pin CRFM Blister

RF Transistor NPN 55V 12A 235MHz 340W Surface Mount CRFM4

得捷:
RF TRANS NPN 55V 235MHZ CRFM4

艾睿:
Trans RF BJT NPN 55V 12A 4-Pin CRFM Bulk

BLW96/01,112中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 340000 mW

输出功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 55 V

最小电流放大倍数hFE 15 @7A, 5V

额定功率Max 340 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 340000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-121

外形尺寸

封装 SOT-121

物理参数

材质 Silicon

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BLW96/01,112

型号： BLW96/01,112

制造商： Ampleon USA

描述：Trans RF BJT NPN 55V 12A 340000mW 4Pin CRFM Blister