BLS3135-50,114

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BLS3135-50,114概述

射频RF双极晶体管 BULKTR TNS-MICL

RF Transistor NPN 75V 6A 3.5GHz 80W Surface Mount CDFM2


得捷:
RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2


贸泽:
射频RF双极晶体管 BULKTR TNS-MICL


BLS3135-50,114中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 80000 mW

击穿电压集电极-发射极 75 V

增益 8 dB

最小电流放大倍数hFE 40 @1.5A, 5V

最大电流放大倍数hFE 40

额定功率Max 80 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-422

外形尺寸

长度 22.99 mm

宽度 9.91 mm

高度 5.72 mm

封装 SOT-422

物理参数

工作温度 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLS3135-50,114
型号: BLS3135-50,114
制造商: NXP 恩智浦
描述:射频RF双极晶体管 BULKTR TNS-MICL

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