BFG325W/XR,115概述
NXP BFG325W/XR,115 , NPN 晶体管, 35 mA, Vce=6 V, HFE:60, 14000 MHz, 4引脚 CMPAK封装
射频双极，Nexperia
欧时:
NXP BFG325W/XR,115 , NPN 晶体管, 35 mA, Vce=6 V, HFE:60, 14000 MHz, 4引脚 CMPAK封装
得捷:
RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4
贸泽:
射频RF双极晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS
艾睿:
Trans RF BJT NPN 6V 0.035A 210mW 4-Pin3+Tab CMPAK T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 6V 0.035A 4-Pin 3+Tab CMPAK T/R
Win Source:
TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT343R
BFG325W/XR,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 210 mW
击穿电压集电极-发射极 6 V
增益 18.3 dB
最小电流放大倍数hFE 60 @15mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 60
额定功率Max 210 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 210 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-343
物理参数
材质 Silicon
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free