通用晶体管
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −32V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 140~310 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| GENERAL PURPOSE TRANSISTOR 描述与应用| 通用
额定电压DC -32.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 140 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 310
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BCW61BMTF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BCW61B,215 安世 | 功能相似 | BCW61BMTF和BCW61B,215的区别 |