P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
通用 PNP ，
欧时:
Infineon BC856SH6327XTSA1, 双 PNP 晶体管, 100 mA, Vce=65 V, HFE:200, 250 MHz, 6引脚 SOT-363 SC-88封装
得捷:
TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
艾睿:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Win Source:
TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363 / Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-PO
频率 250 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-363-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 For AF input stages and driver applications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free