BZT52C8V2S RR

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BZT52C8V2S RR概述

200mW,BZT52C...S 系列,Taiwan Semiconductor齐纳电压容差为 5% 表面安装外壳:SOD-323F ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor

齐纳 200mW,BZT52C...S 系列,

齐纳电压容差为 5%

表面安装外壳:SOD-323F

### ,Taiwan Semiconductor


欧时:
Taiwan Semiconductor BZT52C8V2S RR 单路 齐纳二极管, 8.2V 5% 200 mW, 2引脚 SOD-323F封装


贸泽:
稳压二极管 8.2 Volt 200mW 5%


艾睿:
Diode Zener Single 8.2V 5% 200mW 2-Pin SOD-323F T/R


Allied Electronics:
Zener Diode 8.2V 5% 200mW SOD323F


BZT52C8V2S RR中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 mW

测试电流 5 mA

稳压值 8.2 V

正向电压Max 1 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-323-2

外形尺寸

长度 1.8 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOD-323-2

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BZT52C8V2S RR
型号: BZT52C8V2S RR
制造商: Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述:200mW,BZT52C...S 系列,Taiwan Semiconductor 齐纳电压容差为 5% 表面安装外壳:SOD-323F ### 齐纳二极管,Taiwan Semiconductor

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