BFU725F,115

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BFU725F,115概述

射频RF双极晶体管 RF NPN Transistor

RF NPN 2.8V 40mA 70GHz 136mW 表面贴装型 4-DFP


得捷:
RF TRANS NPN 2.8V 70GHZ 4DFP


贸泽:
射频RF双极晶体管 RF NPN Transistor


艾睿:
Trans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin3+Tab DFP T/R


BFU725F,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 136 mW

输入电容 0.342 pF

击穿电压集电极-发射极 2.8 V

增益 10dB ~ 24dB

最小电流放大倍数hFE 300 @10mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 300

额定功率Max 136 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 136 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 0.75 mm

封装 SOT-343

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BFU725F,115
型号: BFU725F,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:射频RF双极晶体管 RF NPN Transistor
替代型号BFU725F,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BFU725F,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BFU725F/N1

恩智浦

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