BFR 181 E6780概述
射频RF双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
RF NPN 12V 20mA 8GHz 175mW 表面贴装型 SOT-23-3
得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
BFR 181 E6780中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 12.0 V
额定电流 20.0 mA
耗散功率 175 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 18.5 dB
最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 8V
额定功率Max 175 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.95 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买BFR 181 E6780
替代型号BFR 181 E6780
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BFR 181 E6780 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BFR 181 E6327 英飞凌 | 完全替代 | BFR 181 E6780和BFR 181 E6327的区别 |