BFR 193W E6327概述
TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323
RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT323-3
得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
贸泽:
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
BFR 193W E6327中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 12.0 V
额定电流 65.0 mA
耗散功率 580 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 10.5dB ~ 16dB
最小电流放大倍数hFE 70 @30mA, 8V
最大电流放大倍数hFE 70 @30mA, 8V
额定功率Max 580 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买BFR 193W E6327