BC857CMB,315参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC857CMB,315概述

DFN PNP 45V 0.1A

Bipolar BJT Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3

得捷:
NEXPERIA BC857CMB - SMALL SIGNAL

艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R

安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin DFN T/R

BC857CMB,315中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 250 mW

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 XFDFN-3

外形尺寸

封装 XFDFN-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC857CMB,315

型号： BC857CMB,315

制造商： NXP 恩智浦

描述：DFN PNP 45V 0.1A