BF991 系列 20 V 20 mA N沟道 双栅 MOSFET - SOT143B
双栅极射频 MOSFET ,Nexperia
得捷:
MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B
欧时:
NXP Si N沟道 MOSFET BF991,215, 20 mA, Vds=20 V, 4引脚 SOT-143封装
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 20V 0.02A 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.02A 4-Pin3+Tab SOT T/R
富昌:
BF991 系列 20 V 20 mA N沟道 双栅 MOSFET - SOT143B
Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 20V 0.02A 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R
DeviceMart:
MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B
Win Source:
MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B
频率 100 MHz
额定电流 20 mA
针脚数 4
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 20.0 mA
增益 29 dB
测试电流 10 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
额定电压 20 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-253-4
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 TO-253-4
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 消费电子产品, 射频通信, 通信与网络
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BF991,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BF991 恩智浦 | 完全替代 | BF991,215和BF991的区别 |
BF992,215 恩智浦 | 类似代替 | BF991,215和BF992,215的区别 |
BF996S,215 恩智浦 | 类似代替 | BF991,215和BF996S,215的区别 |