BF1107,215

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BF1107,215概述

NXP Si N沟道 MOSFET BF1107,215, 10 mA, Vds=3 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装

射频 MOSFET , semiconductors


得捷:
MOSFET N-CH 3V 10MA SOT23


欧时:
NXP Si N沟道 MOSFET BF1107,215, 10 mA, Vds=3 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装


贸泽:
RF MOSFET Transistors N-Channel 3V 10mA


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 3V 0.01A 3-Pin TO-236AB T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 3V 0.01A 3-Pin TO-236AB T/R


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 3V 0.01A 3-Pin TO-236AB T/R


RfMW:
Transistor


DeviceMart:
MOSFET N-CH 3V 10MA SOT23


Win Source:
MOSFET N-CH 3V 10MA SOT23


BF1107,215中文资料参数规格
技术参数

额定电流 10 mA

通道数 1

漏源极电阻 20 Ω

阈值电压 3 V

漏源击穿电压 3 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 2.5 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买BF1107,215
型号: BF1107,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP Si N沟道 MOSFET BF1107,215, 10 mA, Vds=3 V, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装
替代型号BF1107,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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BF1107,215和BF1107,235的区别

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