BFG 19S E6327概述
TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223
RF Transistor NPN 15V 210mA 5.5GHz 1W Surface Mount PG-SOT223-4
得捷:
RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon RF Trans
BFG 19S E6327中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 15.0 V
额定电流 100 mA
耗散功率 1000 mW
增益频宽积 5500 MHz
击穿电压集电极-发射极 15 V
增益 14dB ~ 8.5dB
最小电流放大倍数hFE 70 @70mA, 8V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-223-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
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