BLF8G27LS-100V,118

BLF8G27LS-100V,118图片1
BLF8G27LS-100V,118概述

RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 100W, 17dB, 28V, SOT1244B, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 17dB 25W CDFM6


得捷:
RF MOSFET LDMOS 28V CDFM6


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin CDFM T/R


富昌:
晶体管 RF 功率 100W ACC-6L


RfMW:
RF Power Transistor, 2.5 to 2.7 GHz, 100 W, 17 dB, 28 V, SOT1244B, LDMOS


BLF8G27LS-100V,118中文资料参数规格
技术参数

频率 2.5GHz ~ 2.7GHz

输出功率 25 W

增益 17 dB

测试电流 900 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 7

封装 SOT-1244

外形尺寸

封装 SOT-1244

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF8G27LS-100V,118
型号: BLF8G27LS-100V,118
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 100W, 17dB, 28V, SOT1244B, LDMOS
替代型号BLF8G27LS-100V,118
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BLF8G27LS-100V,118

Ampleon USA

当前型号

当前型号

BLF8G27LS-100V,112

Ampleon USA

完全替代

BLF8G27LS-100V,118和BLF8G27LS-100V,112的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台