BC636TA

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BC636TA中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -1.00 A

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 25

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC636TA
型号: BC636TA
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC636TA  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 1 W, -1 A, 25 hFE
替代型号BC636TA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC636TA

Fairchild 飞兆/仙童

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