BLF6G38-10G,112

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BLF6G38-10G,112概述

RF Power Transistor, 3.4 to 3.6GHz, 10W, 14dB, 28V, LDMOS, SOT-975C

RF Mosfet LDMOS 28V 130mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 14dB 2W CDFM2


得捷:
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3.1A 3-Pin CDFM Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 3.4 to 3.6 GHz, 10 W, 14 dB, 28 V, LDMOS, SOT-975C


BLF6G38-10G,112中文资料参数规格
技术参数

频率 3.4GHz ~ 3.6GHz

输出功率 2 W

增益 14 dB

测试电流 130 mA

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-975

外形尺寸

封装 SOT-975

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF6G38-10G,112
型号: BLF6G38-10G,112
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 3.4 to 3.6GHz, 10W, 14dB, 28V, LDMOS, SOT-975C
替代型号BLF6G38-10G,112
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BLF6G38-10G,112

Ampleon USA

当前型号

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BLF6G38-10G,118

Ampleon USA

完全替代

BLF6G38-10G,112和BLF6G38-10G,118的区别

BLF6G38-10,112

Ampleon USA

完全替代

BLF6G38-10G,112和BLF6G38-10,112的区别

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