ON SEMICONDUCTOR BC850BLT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE
小信号 NPN ,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
ON Semiconductor BC850BLT1G , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:200, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
得捷:
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
立创商城:
BC850BLT1G
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE
艾睿:
Design various electronic circuits with this versatile NPN BC850BLT1G GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
Allied Electronics:
ON Semi BC850BLT1G NPN Bipolar Transistor, 0.1 A, 45 V, 3-Pin SOT-23
安富利:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 225mW; SOT23
Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR BC850BLT1G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE
DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-23
Win Source:
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
频率 100 MHz
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.11 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BC850BLT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC850BLT1 安森美 | 完全替代 | BC850BLT1G和BC850BLT1的区别 |
BC847BLT1G 安森美 | 类似代替 | BC850BLT1G和BC847BLT1G的区别 |
BC850CLT1G 安森美 | 类似代替 | BC850BLT1G和BC850CLT1G的区别 |