BC850BLT1G

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BC850BLT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  BC850BLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE

小信号 NPN ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor BC850BLT1G , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:200, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装


得捷:
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3


立创商城:
BC850BLT1G


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE


艾睿:
Design various electronic circuits with this versatile NPN BC850BLT1G GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 300 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
ON Semi BC850BLT1G NPN Bipolar Transistor, 0.1 A, 45 V, 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 225mW; SOT23


Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  BC850BLT1G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-23


Win Source:
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23


BC850BLT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 45.0 V

额定电流 100 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 225 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.11 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BC850BLT1G引脚图与封装图
BC850BLT1G引脚图
BC850BLT1G封装焊盘图
在线购买BC850BLT1G
型号: BC850BLT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC850BLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE
替代型号BC850BLT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC850BLT1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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BC850BLT1

安森美

完全替代

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