BLP8G27-5Z

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BLP8G27-5Z概述

RF Power Transistor, 0.70 to 2.7GHz, 5W, 19dB, 28V, SOT1371-1, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 28V 55mA 2.14GHz 18dB 750mW 16-HVSON 6x4


得捷:
RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN


艾睿:
Power LDMOS Transistor


安富利:
Trans MOSFET N-CH 28V 16-Pin SVSON T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 0.70 to 2.7 GHz, 5 W, 19 dB, 28 V, SOT1371-1, LDMOS


BLP8G27-5Z中文资料参数规格
技术参数

频率 2.14 GHz

输出功率 750 mW

增益 18 dB

测试电流 55 mA

额定电压 65 V

封装参数

引脚数 16

封装 VDFN-16

外形尺寸

封装 VDFN-16

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLP8G27-5Z
型号: BLP8G27-5Z
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 0.70 to 2.7GHz, 5W, 19dB, 28V, SOT1371-1, LDMOS

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