BLF8G10LS-160,118

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BLF8G10LS-160,118概述

RF Power Transistor, 0.92 to 0.96GHz, 160W, 19.7dB, 30V, LDMOS, SOT-502B

RF Mosfet LDMOS 30V 1.1A 920MHz ~ 960MHz 19.7dB 35W SOT502B


得捷:
RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502B T/R


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502B T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 0.92 to 0.96 GHz, 160 W, 19.7 dB, 30 V, LDMOS, SOT-502B


BLF8G10LS-160,118中文资料参数规格
技术参数

频率 920MHz ~ 960MHz

输出功率 35 W

增益 19.7 dB

测试电流 1.1 A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 30 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF8G10LS-160,118
型号: BLF8G10LS-160,118
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 0.92 to 0.96GHz, 160W, 19.7dB, 30V, LDMOS, SOT-502B
替代型号BLF8G10LS-160,118
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BLF8G10LS-160,118

Ampleon USA

当前型号

当前型号

BLF8G10LS-160,112

Ampleon USA

完全替代

BLF8G10LS-160,118和BLF8G10LS-160,112的区别

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