BLP7G22-10Z

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BLP7G22-10Z概述

RF Power Transistor, 0.7 to 2.2GHz, 10W, 27dB, 28V, LDMOS, SOT1179-1

RF Mosfet LDMOS Dual, Common Source 28V 110mA 2.14GHz 16dB 2W 12-HVSON 6x4


得捷:
RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 12-Pin HVSON EP


安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 12-Pin SOT1179-2 T/R


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 12-Pin HVSON EP


RfMW:
RF Power Transistor, 0.7 to 2.2 GHz, 10 W, 27 dB, 28 V, LDMOS, SOT1179-1


BLP7G22-10Z中文资料参数规格
技术参数

频率 2.14 GHz

漏源极电压Vds 65 V

输出功率 2 W

增益 16 dB

测试电流 110 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 12

封装 VDFN-12

外形尺寸

封装 VDFN-12

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLP7G22-10Z
型号: BLP7G22-10Z
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 0.7 to 2.2GHz, 10W, 27dB, 28V, LDMOS, SOT1179-1
替代型号BLP7G22-10Z
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Ampleon USA

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