BC33716TAR

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BC33716TAR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 800 mA

极性 NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 630

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC33716TAR
型号: BC33716TAR
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial
替代型号BC33716TAR
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BC33716TAR

Fairchild 飞兆/仙童

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BC33716TAR和BC33716TA的区别

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