BLF8G09LS-400PWJ

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BLF8G09LS-400PWJ概述

RF Power Transistor, 0.716 to 0.96GHz, 400W 20.6dB, 28V, LDMOS, SOT1242B

RF Mosfet LDMOS Dual, Common Source 28V 3.4A 718.5MHz ~ 725.5MHz 20.6dB 95W CDFM8


得捷:
RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 9-Pin CDFM T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 9-Pin SOT-1242B T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 0.716 to 0.96 GHz, 400 W 20.6 dB, 28 V, LDMOS, SOT1242B


BLF8G09LS-400PWJ中文资料参数规格
技术参数

频率 718.5MHz ~ 725.5MHz

输出功率 95 W

增益 20.6 dB

测试电流 3.4 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 9

封装 SOT-1242

外形尺寸

封装 SOT-1242

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF8G09LS-400PWJ
型号: BLF8G09LS-400PWJ
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 0.716 to 0.96GHz, 400W 20.6dB, 28V, LDMOS, SOT1242B
替代型号BLF8G09LS-400PWJ
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BLF8G09LS-400PWJ

Ampleon USA

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当前型号

BLF8G09LS-400PWU

Ampleon USA

完全替代

BLF8G09LS-400PWJ和BLF8G09LS-400PWU的区别

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