BLF871S,112

BLF871S,112图片1
BLF871S,112概述

RF Power Transistor, 0 to 1GHz, 100W, 22dB, 40V, LDMOS, SOT-467C

RF Mosfet LDMOS 40V 500mA 860MHz 19dB 100W LDMOST


得捷:
RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 89V 3-Pin LDMOST Bulk


富昌:
BLF871 系列 10 - 1000 MHz 24 W 特高频 功率 LDMOS 晶体管 - SOT467


RfMW:
RF Power Transistor, 0 to 1 GHz, 100 W, 22 dB, 40 V, LDMOS, SOT-467C


BLF871S,112中文资料参数规格
技术参数

频率 860 MHz

输出功率 100 W

增益 19 dB

测试电流 500 mA

输入电容Ciss 95pF @40VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 89 V

电源电压 40 V

封装参数

引脚数 3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF871S,112
型号: BLF871S,112
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 0 to 1GHz, 100W, 22dB, 40V, LDMOS, SOT-467C

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