BLF7G20LS-200,118

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BLF7G20LS-200,118概述

RF Power Transistor, 1.805 to 1.88GHz, 200W, 18dB, 28V, LDMOS, SOT-502B

RF Mosfet LDMOS 28V 1.62A 1.81GHz ~ 1.88GHz 18dB 55W SOT502B


得捷:
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502B T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 1.805 to 1.88 GHz, 200 W, 18 dB, 28 V, LDMOS, SOT-502B


BLF7G20LS-200,118中文资料参数规格
技术参数

频率 1.81GHz ~ 1.88GHz

输出功率 55 W

增益 18 dB

测试电流 1.62 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF7G20LS-200,118
型号: BLF7G20LS-200,118
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 1.805 to 1.88GHz, 200W, 18dB, 28V, LDMOS, SOT-502B
替代型号BLF7G20LS-200,118
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BLF7G20LS-200,118

Ampleon USA

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当前型号

BLF7G20LS-200,112

Ampleon USA

完全替代

BLF7G20LS-200,118和BLF7G20LS-200,112的区别

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