BLF8G27LS-150GVQ

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BLF8G27LS-150GVQ概述

RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 150W, 18dB, 28V, SOT1244C, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 28V 1.3A 2.6GHz ~ 2.7GHz 18dB 45W CDFM6


得捷:
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin CDFM Rail


RfMW:
RF Power Transistor, 2.5 to 2.7 GHz, 150 W, 18 dB, 28 V, SOT1244C, LDMOS


Win Source:
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C / RF Mosfet LDMOS 28 V 1.3 A 2.6GHz ~ 2.7GHz 18dB 45W CDFM6


BLF8G27LS-150GVQ中文资料参数规格
技术参数

频率 2.6GHz ~ 2.7GHz

输出功率 45 W

增益 18 dB

测试电流 1.3 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 SOT-1244

外形尺寸

高度 4.75 mm

封装 SOT-1244

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF8G27LS-150GVQ
型号: BLF8G27LS-150GVQ
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 150W, 18dB, 28V, SOT1244C, LDMOS
替代型号BLF8G27LS-150GVQ
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BLF8G27LS-150GVQ

Ampleon USA

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BLF8G27LS-150GVJ

Ampleon USA

完全替代

BLF8G27LS-150GVQ和BLF8G27LS-150GVJ的区别

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