BLF879P,112

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BLF879P,112概述

RF Power Transistor, 0.47 to 0.86GHz, 500W, 20dB, 42V, LDMOS, SOT-539A

RF Mosfet LDMOS Dual, Common Source 42V 1.3A 860MHz 21dB 200W SOT539A


得捷:
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 104V 5-Pin SOT-539A Bulk


富昌:
BLF879 系列 470 - 860 MHz 104 V 200 W 特高频 LDMOS 射频 功率 晶体管 - SOT-539A


RfMW:
RF Power Transistor, 0.47 to 0.86 GHz, 500 W, 20 dB, 42 V, LDMOS, SOT-539A


BLF879P,112中文资料参数规格
技术参数

频率 860 MHz

输出功率 200 W

增益 21 dB

测试电流 1.3 A

输入电容Ciss 210pF @42VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 104 V

电源电压 42 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-539

外形尺寸

封装 SOT-539

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BLF879P,112
型号: BLF879P,112
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 0.47 to 0.86GHz, 500W, 20dB, 42V, LDMOS, SOT-539A

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