BLF8G22LS-205VJ

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BLF8G22LS-205VJ概述

RF Power Transistor, 2.1 to 2.2GHz, 205W, 18.3dB, 28V, SOT1239B, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 28V 1.2A 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.3dB 50.1W CDFM6


得捷:
RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin CDFM T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 2.1 to 2.2 GHz, 205 W, 18.3 dB, 28 V, SOT1239B, LDMOS


BLF8G22LS-205VJ中文资料参数规格
技术参数

频率 2.11GHz ~ 2.17GHz

输出功率 50.1 W

增益 18.3 dB

测试电流 1.2 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 7

封装 SOT-1239

外形尺寸

封装 SOT-1239

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BLF8G22LS-205VJ
型号: BLF8G22LS-205VJ
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 2.1 to 2.2GHz, 205W, 18.3dB, 28V, SOT1239B, LDMOS
替代型号BLF8G22LS-205VJ
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BLF8G22LS-205VJ和BLF8G22LS-205VU的区别

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